25,893.54

+141.14

(+0.55%)

25,964

+41

(+0.16%)

高水70

8,655.04

+43.21

(+0.50%)

4,860.26

+38.59

(+0.80%)

2,463.17億

3,986.22

+20.05

(+0.506%)

4,636.57

+70.35

(+1.541%)

14,309.47

+313.20

(+2.238%)

2,658.05

+47.52

(+1.82%)

72,949.9900

-12.7200

(-0.017%)

人民幣最佳客戶買入價

1.0954

澳元最佳客戶買入價

5.1002

歐元最佳客戶買入價

9.1277

英鎊最佳客戶買入價

10.4269

日圓最佳客戶買入價

4.9400

／

／

CVR能源

30.650
+0.120
(+0.393%)

最高
31.120

最低
29.662

成交股數
80.72萬

成交金額
1.17千萬

前收市
30.530

開市
30.000

盤後

30.650
0.000
(0.000%)

最高
30.650

最低
30.650

成交股數
15.91萬

成交金額
82.03萬

買入
30.010

賣出
31.590

市值
30.69億

貨幣
USD

交易宗數
9045

每宗成交金額
1,291

波幅
11.991%

交易所
NYSE

1個月高低

52周高低

市盈率/預期
111.93/29.54

周息率/預期
1.21%/4.53%

10日股價變動
-12.278%

風險率
5.546

振幅率
9.806%

啤打系數
0.624

報價延遲最少15分鐘。美東時間： 10/04/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

26/03/2026 22:24

美股動向 | SK海力士擬採台積電3納米製程生產HBM4E

　　《經濟通通訊社26日專訊》記憶體巨企SK海力士正積極評估採用台積電(US.TSM)最先進的3納米製程，來製造其第七代高頻寬記憶體(HBM4E)的邏輯晶片。此舉旨在縮小與三星電子在高效能產品上的差距。

　　在上一代HBM4的競爭中，SK海力士為確保供貨穩定而選擇台積電12納米製程，對手三星則採用4納米邏輯晶片而取得效能優勢。為奪回技術主導權，SK海力士計劃在HBM4E世代將自家第六代10納米級DRAM核心與台積電3納米邏輯晶片進行異質整合。市場預期這項突破性的技術升級，將大幅推升即將推出的英偉達(US.NVDA)Vera Rubin Ultra等新一代AI加速器的運算極限。(kk)