25,885.97
+133.57
(+0.52%)
25,910
+191
(+0.74%)
高水24
8,652.34
+40.51
(+0.47%)
4,863.90
+42.23
(+0.88%)
1,844.20億
3,993.34
+27.17
(+0.685%)
4,649.39
+83.17
(+1.821%)
14,366.49
+370.22
(+2.645%)
2,665.70
+55.17
(+2.11%)
71,943.4600
+155.4800
(0.217%)
印度工業信貸投資銀行
  • 27.470
  • -0.040
  • (-0.145%)
  • 最高
  • 27.570
  • 最低
  • 26.970
  • 成交股數
  • 6.06百萬
  • 成交金額
  • 9.69千萬
  • 前收市
  • 27.510
  • 開市
  • 27.100
  • 盤後
  • 27.470
  • 0.000
  • (0.000%)
  • 最高
  • 29.474
  • 最低
  • 27.470
  • 成交股數
  • 1.74百萬
  • 成交金額
  • 3.60千萬
  • 買入
  • 23.620
  • 賣出
  • 32.120
  • 市值
  • 984.94億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 16732
  • 每宗成交金額
  • 5,792
  • 波幅
  • 5.045%
  • 交易所
  • NYSE
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 17.33/16.10
  • 周息率/預期
  • 0.91%/0.96%
  • 10日股價變動
  • 8.577%
  • 風險率
  • 2.082
  • 振幅率
  • 1.661%
  • 啤打系數
  • 0.226

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 09/04/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

26/03/2026 22:24

美股動向 | SK海力士擬採台積電3納米製程生產HBM4E

  《經濟通通訊社26日專訊》記憶體巨企SK海力士正積極評估採用台積電(US.TSM)最先進的3納米製程,來製造其第七代高頻寬記憶體(HBM4E)的邏輯晶片。此舉旨在縮小與三星電子在高效能產品上的差距。

 

  在上一代HBM4的競爭中,SK海力士為確保供貨穩定而選擇台積電12納米製程,對手三星則採用4納米邏輯晶片而取得效能優勢。為奪回技術主導權,SK海力士計劃在HBM4E世代將自家第六代10納米級DRAM核心與台積電3納米邏輯晶片進行異質整合。市場預期這項突破性的技術升級,將大幅推升即將推出的英偉達(US.NVDA)Vera Rubin Ultra等新一代AI加速器的運算極限。(kk)

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