25,253.40
-379.81
(-1.48%)
25,158
+67
(+0.27%)
低水95
8,501.91
-94.68
(-1.10%)
4,975.36
-81.61
(-1.61%)
2,702.30億
4,057.78
-26.19
(-0.641%)
4,904.75
-34.06
(-0.690%)
15,661.57
-43.14
(-0.275%)
2,887.66
-37.42
(-1.28%)
63,356.0000
-786.7500
(-1.227%)
安森美半導體
  • 131.820
  • -2.110
  • (-1.575%)
  • 最高
  • 134.485
  • 最低
  • 124.920
  • 成交股數
  • 1.01千萬
  • 成交金額
  • 10.97億
  • 前收市
  • 133.930
  • 開市
  • 127.300
  • 盤後
  • 130.000
  • -1.820
  • (-1.381%)
  • 最高
  • 133.930
  • 最低
  • 130.000
  • 成交股數
  • 42.01萬
  • 成交金額
  • 5.50千萬
  • 買入
  • 129.850
  • 賣出
  • 133.800
  • 市值
  • 520.72億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 87146
  • 每宗成交金額
  • 12,583
  • 波幅
  • 12.776%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 98.48/31.69
  • 周息率/預期
  • --/--
  • 10日股價變動
  • 13.442%
  • 風險率
  • 19.042
  • 振幅率
  • 6.719%
  • 啤打系數
  • 2.707

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 04/06/2026 18:14:15
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

01/11/2025 02:35

美股動向 | 安森美推出垂直氮化鎵半導體,拓AI及電動車高耗能應用

  《經濟通通訊社31日專訊》智能電源和傳感技術企業安森美(US.ON)宣布,推出垂直氮化鎵功率半導體,為人工智能數據中心、電動汽車及可再生能源等高耗能應用領域,在功率密度、效率和耐用性方面樹立全新行業標準。

 

  這項突破性的技術建基於創新的「氮化鎵上氮化鎵」架構,其核心特點是讓電流垂直流過化合物半導體晶片,而非像傳統技術般在表面橫向流動。這種垂直導電設計,使新的vGaN功率半導體能夠在單一晶片中處理高達1200伏特甚至更高的電壓,並以極高頻率進行開關,從而大幅提升效能。​(kk)

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