24,928.27
-204.02
(-0.81%)
24,932
-222
(-0.88%)
高水4
8,270.30
-90.38
(-1.08%)
4,703.81
-111.02
(-2.31%)
1,407.83億
3,863.41
-0.96
(-0.025%)
4,743.81
+4.58
(+0.097%)
14,214.68
-49.61
(-0.348%)
2,850.71
+9.51
(+0.33%)
66,297.2100
-258.9400
(-0.389%)
歡迎回來

網頁已經閒置了一段時間,為確保不會錯過最新的內容。請重新載入頁面。立即重新載入


安森美半導體
  • 91.060
  • +4.360
  • (+5.029%)
  • 最高
  • 91.590
  • 最低
  • 88.430
  • 成交股數
  • 7.85百萬
  • 成交金額
  • 6.72億
  • 前收市
  • 86.700
  • 開市
  • 91.050
  • 盤後
  • 91.136
  • 0.076
  • (+0.083%)
  • 最高
  • 92.000
  • 最低
  • 90.060
  • 成交股數
  • 51.92萬
  • 成交金額
  • 4.66千萬
  • 買入
  • 87.780
  • 賣出
  • 94.680
  • 市值
  • 337.42億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 68625
  • 每宗成交金額
  • 9,797
  • 波幅
  • 11.184%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 63.75/20.51
  • 周息率/預期
  • --/--
  • 10日股價變動
  • -5.106%
  • 風險率
  • 23.793
  • 振幅率
  • 3.955%
  • 啤打系數
  • 2.976

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 21/07/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

01/11/2025 02:35

美股動向 | 安森美推出垂直氮化鎵半導體,拓AI及電動車高耗能應用

  《經濟通通訊社31日專訊》智能電源和傳感技術企業安森美(US.ON)宣布,推出垂直氮化鎵功率半導體,為人工智能數據中心、電動汽車及可再生能源等高耗能應用領域,在功率密度、效率和耐用性方面樹立全新行業標準。

 

  這項突破性的技術建基於創新的「氮化鎵上氮化鎵」架構,其核心特點是讓電流垂直流過化合物半導體晶片,而非像傳統技術般在表面橫向流動。這種垂直導電設計,使新的vGaN功率半導體能夠在單一晶片中處理高達1200伏特甚至更高的電壓,並以極高頻率進行開關,從而大幅提升效能。​(kk)

海鮮網購
最新
人氣
etnet TV
財經新聞
評論
專題透視
生活
DIVA
健康好人生
香港好去處