25,893.54
+141.14
(+0.55%)
25,952
+29
(+0.11%)
高水58
8,655.04
+43.21
(+0.50%)
4,860.26
+38.59
(+0.80%)
2,463.17億
3,986.22
+20.05
(+0.506%)
4,636.57
+70.35
(+1.541%)
14,309.47
+313.20
(+2.238%)
2,658.05
+47.52
(+1.82%)
72,862.6200
+1,074.6400
(1.497%)
歡迎回來

網頁已經閒置了一段時間,為確保不會錯過最新的內容。請重新載入頁面。立即重新載入


Onto Innovation
  • 254.000
  • +7.040
  • (+2.851%)
  • 最高
  • 257.320
  • 最低
  • 250.000
  • 成交股數
  • 28.26萬
  • 成交金額
  • 4.73千萬
  • 前收市
  • 246.960
  • 開市
  • 252.340
  • 買入
  • 252.930
  • 賣出
  • 254.220
  • 市值
  • 122.85億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 4657
  • 每宗成交金額
  • 10,154
  • 波幅
  • 17.821%
  • 交易所
  • NYSE
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 88.85/28.87
  • 周息率/預期
  • --/--
  • 10日股價變動
  • 33.882%
  • 風險率
  • 43.322
  • 振幅率
  • 4.118%
  • 啤打系數
  • 1.193

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 10/04/2026 12:59:30
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

26/03/2026 22:24

美股動向 | SK海力士擬採台積電3納米製程生產HBM4E

  《經濟通通訊社26日專訊》記憶體巨企SK海力士正積極評估採用台積電(US.TSM)最先進的3納米製程,來製造其第七代高頻寬記憶體(HBM4E)的邏輯晶片。此舉旨在縮小與三星電子在高效能產品上的差距。

 

  在上一代HBM4的競爭中,SK海力士為確保供貨穩定而選擇台積電12納米製程,對手三星則採用4納米邏輯晶片而取得效能優勢。為奪回技術主導權,SK海力士計劃在HBM4E世代將自家第六代10納米級DRAM核心與台積電3納米邏輯晶片進行異質整合。市場預期這項突破性的技術升級,將大幅推升即將推出的英偉達(US.NVDA)Vera Rubin Ultra等新一代AI加速器的運算極限。(kk)

海鮮優惠
最新
人氣
etnet TV
財經新聞
評論
專題透視
生活
DIVA
健康好人生
香港好去處