25,611.17

-282.37

(-1.09%)

25,622

-301

(-1.16%)

高水11

8,588.79

-66.25

(-0.77%)

4,814.41

-45.85

(-0.94%)

1,708.94億

3,988.56

+2.34

(+0.059%)

4,646.15

+9.58

(+0.207%)

14,407.86

+98.39

(+0.688%)

2,667.49

+9.44

(+0.36%)

70,978.9200

+237.3600

(0.336%)

人民幣最佳客戶買入價

1.0954

澳元最佳客戶買入價

5.1002

歐元最佳客戶買入價

9.1277

英鎊最佳客戶買入價

10.4269

日圓最佳客戶買入價

4.9190

／

／

QuinStreet

11.980
-0.100
(-0.828%)

最高
12.130

最低
11.762

成交股數
50.93萬

成交金額
5.78百萬

前收市
12.080

開市
12.130

盤後

11.980
0.000
(0.000%)

最高
11.980

最低
11.980

成交股數
1.68萬

成交金額
20.30萬

買入
11.890

賣出
16.030

市值
6.88億

貨幣
USD

交易宗數
7603

每宗成交金額
761

波幅
5.355%

交易所
NASDAQ

1個月高低

52周高低

市盈率/預期
11.29/7.55

周息率/預期
--/--

10日股價變動
-1.723%

風險率
1.672

振幅率
5.105%

啤打系數
0.331

報價延遲最少15分鐘。美東時間： 10/04/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

26/03/2026 22:24

美股動向 | SK海力士擬採台積電3納米製程生產HBM4E

　　《經濟通通訊社26日專訊》記憶體巨企SK海力士正積極評估採用台積電(US.TSM)最先進的3納米製程，來製造其第七代高頻寬記憶體(HBM4E)的邏輯晶片。此舉旨在縮小與三星電子在高效能產品上的差距。

　　在上一代HBM4的競爭中，SK海力士為確保供貨穩定而選擇台積電12納米製程，對手三星則採用4納米邏輯晶片而取得效能優勢。為奪回技術主導權，SK海力士計劃在HBM4E世代將自家第六代10納米級DRAM核心與台積電3納米邏輯晶片進行異質整合。市場預期這項突破性的技術升級，將大幅推升即將推出的英偉達(US.NVDA)Vera Rubin Ultra等新一代AI加速器的運算極限。(kk)