25,893.54
+141.14
(+0.55%)
25,964
+41
(+0.16%)
高水70
8,655.04
+43.21
(+0.50%)
4,860.26
+38.59
(+0.80%)
2,463.17億
3,986.22
+20.05
(+0.506%)
4,636.57
+70.35
(+1.541%)
14,309.47
+313.20
(+2.238%)
2,658.05
+47.52
(+1.82%)
72,884.3000
-78.4100
(-0.107%)
西蒙地產
  • 200.570
  • +1.600
  • (+0.804%)
  • 最高
  • 200.630
  • 最低
  • 198.331
  • 成交股數
  • 1.11百萬
  • 成交金額
  • 1.05億
  • 前收市
  • 198.970
  • 開市
  • 199.390
  • 盤後
  • 200.580
  • 0.010
  • (+0.005%)
  • 最高
  • 201.580
  • 最低
  • 199.400
  • 成交股數
  • 31.99萬
  • 成交金額
  • 8.58百萬
  • 買入
  • 196.620
  • 賣出
  • 223.050
  • 市值
  • 646.35億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 17420
  • 每宗成交金額
  • 6,005
  • 波幅
  • 3.371%
  • 交易所
  • NYSE
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 14.04/28.13
  • 周息率/預期
  • 4.35%/4.46%
  • 10日股價變動
  • 9.992%
  • 風險率
  • 13.281
  • 振幅率
  • 3.119%
  • 啤打系數
  • 1.311

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 10/04/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

26/03/2026 22:24

美股動向 | SK海力士擬採台積電3納米製程生產HBM4E

  《經濟通通訊社26日專訊》記憶體巨企SK海力士正積極評估採用台積電(US.TSM)最先進的3納米製程,來製造其第七代高頻寬記憶體(HBM4E)的邏輯晶片。此舉旨在縮小與三星電子在高效能產品上的差距。

 

  在上一代HBM4的競爭中,SK海力士為確保供貨穩定而選擇台積電12納米製程,對手三星則採用4納米邏輯晶片而取得效能優勢。為奪回技術主導權,SK海力士計劃在HBM4E世代將自家第六代10納米級DRAM核心與台積電3納米邏輯晶片進行異質整合。市場預期這項突破性的技術升級,將大幅推升即將推出的英偉達(US.NVDA)Vera Rubin Ultra等新一代AI加速器的運算極限。(kk)

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