25,892.97
+140.57
(+0.55%)
25,910
+191
(+0.74%)
高水17
8,656.91
+45.08
(+0.52%)
4,869.55
+47.88
(+0.99%)
1,156.57億
3,991.14
+24.97
(+0.630%)
4,620.14
+53.92
(+1.181%)
14,239.89
+243.62
(+1.741%)
2,641.76
+31.23
(+1.20%)
71,822.2700
+34.2900
(0.048%)
阿爾凱默斯
  • 34.920
  • +0.150
  • (+0.431%)
  • 最高
  • 35.450
  • 最低
  • 34.440
  • 成交股數
  • 2.05百萬
  • 成交金額
  • 7.25千萬
  • 前收市
  • 34.770
  • 開市
  • 35.000
  • 盤後
  • 34.930
  • 0.010
  • (+0.029%)
  • 最高
  • 35.400
  • 最低
  • 34.920
  • 成交股數
  • 3.47萬
  • 成交金額
  • 1.50百萬
  • 買入
  • 20.810
  • 賣出
  • 42.320
  • 市值
  • 57.41億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 20177
  • 每宗成交金額
  • 3,592
  • 波幅
  • 18.525%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 24.32/-386.44
  • 周息率/預期
  • --/--
  • 10日股價變動
  • 18.816%
  • 風險率
  • 2.103
  • 振幅率
  • 3.242%
  • 啤打系數
  • 0.519

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 09/04/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

26/03/2026 22:24

美股動向 | SK海力士擬採台積電3納米製程生產HBM4E

  《經濟通通訊社26日專訊》記憶體巨企SK海力士正積極評估採用台積電(US.TSM)最先進的3納米製程,來製造其第七代高頻寬記憶體(HBM4E)的邏輯晶片。此舉旨在縮小與三星電子在高效能產品上的差距。

 

  在上一代HBM4的競爭中,SK海力士為確保供貨穩定而選擇台積電12納米製程,對手三星則採用4納米邏輯晶片而取得效能優勢。為奪回技術主導權,SK海力士計劃在HBM4E世代將自家第六代10納米級DRAM核心與台積電3納米邏輯晶片進行異質整合。市場預期這項突破性的技術升級,將大幅推升即將推出的英偉達(US.NVDA)Vera Rubin Ultra等新一代AI加速器的運算極限。(kk)

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