美國商業資訊

2024-12-11 18:25

Kioxia開發出OCTRAM(氧化物半導體通道電晶體DRAM)技術

東京--(美國商業資訊)--記憶體解決方案領域的全球領導者Kioxia Corporation今天宣布開發出OCTRAM(氧化物半導體通道電晶體DRAM),這種新型4F2 DRAM由同時具有高導通電流和超低關斷電流的氧化物半導體電晶體組成。該技術可望透過發揮InGaZnO*1電晶體的超低洩漏特性來實現低功耗DRAM。這一消息是在2024年12月9日於加州舊金山舉行的IEEE國際電子元件會議(IEDM)上首次公布。這項成果由Nanya Technology和Kioxia Corporation共同開發。該技術可望降低多種應用的功耗,包括AI和後5G通訊系統以及物聯網產品。

本新聞稿包含多媒體資訊。完整新聞稿請見此: https://www.businesswire.com/news/home/20241209145661/zh-HK/

OCTRAM使用圓柱形InGaZnO垂直電晶體(圖1)做為單元電晶體。該設計可實現4F2 DRAM的適配,相較傳統的矽基6F2 DRAM,在記憶體密度方面具有顯著的優勢。

透過元件和製程最佳化(圖2),InGaZnO垂直電晶體可實現超過15微安/單元的高導通電流 (1.5 x 10-5安/單元)和低於1絕對安培/單元的超低關斷電流 (1.0 x 10-18安/單元)。在OCTRAM結構中,InGaZnO垂直電晶體被整合在高深寬比電容器(電容器優先製程)的頂部。這種安排允許對先進電容器製程和InGaZnO效能之間的相互作用進行解耦(圖3)。

*1: InGaZnO是In(銦)、Ga(鎵)、Zn(鋅)和O(氧)的化合物

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關於Kioxia

Kioxia是全球記憶體解決方案領域的領軍企業,致力於快閃記憶體和固態硬碟(SSD)的開發、生產和銷售。其前身是Toshiba Memory,於2017年4月從1987年發明了NAND快閃記憶體的公司Toshiba Corporation脫售出來。Kioxia致力於透過提供產品、服務和系統來為客戶創造選擇,並為社會創造以儲存技術為基礎的價值,從而提升世界的「記憶」。Kioxia創新的3D快閃記憶體技術BiCS FLASH™正在塑造儲存技術在高密度應用領域(包括高階智慧型手機、PC、SSD、汽車和資料中心)的未來。

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

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Kota Yamaji
公共關係
Kioxia Corporation
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

圖1:InGaZnO垂直電晶體的橫截面TEM影像(照片:美國商業資訊)

圖2:開發出的InGaZnO電晶體的(a)導通和(b)關斷電流特性(圖片:美國商業資訊)

圖3:OCTRAM全景視圖(照片:美國商業資訊)

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